2016全（quán）國表麵分析會議召開應用領域（yù）與技咗

2016全國表麵分析會議（yì）召開 應用領域（yù）與（yǔ）技術（shù）不斷（duàn）拓（tuò）展

儀器信息（xī）訊 2016年8月日，2016年全國表（biǎo）麵分析科學與技術應用（yòng）學（xué）術會議在昆明召開，100餘名從事（shì）表麵分析技術研究與應用的專家（jiā）學者參加了會議。該會議由高校分（fèn）析測試中心（xīn）研究會、全國微束分析標準化技（jì）術委員會表麵分析分技術委員會（huì）、北京分析測試協會表麵分析專業委員會主辦，昆明理工大學分析測試研究中心、國家大型（xíng）科學儀器中心-北京電子能譜（pǔ）中心、昆明紅（hóng）源（yuán）會展有限公司協辦。

會議現場

清華大學朱永法、昆明理工大學楊喜昆代表主辦方和承辦方分別致辭。

清華大學朱永法

昆明理工大（dà）學楊（yáng）喜昆

表麵科學是（shì）上世紀60年代後期發展起（qǐ）來的（de）一門學科，目前已經成為國際上為活躍的學科之（zhī）一（yī）。材料（liào）表麵的成分、結構、化學狀態等與內部有明顯的（de）不同，而表麵特（tè）性（xìng）對（duì）材料的（de）物理、化學等性能影響很大。隨著材料科學、化學化工、半導體及薄膜、能源、微電子、信息產業及環境領域等高新技術的迅猛（měng）發（fā）展，對於表麵分析技術的需求日益（yì）增多。同時，由於近（jìn）幾十年超高真空、高分辨和（hé）高靈敏電子測量技術的快速發展，表麵（miàn）分析技術也（yě）有了長足進步。表麵分析技（jì）術主要包括X射線光電子能譜、俄歇電子能譜、二次離子質譜等（děng）。國內表麵（miàn）分析技術起步（bù）於80年代，目前已經廣泛應用於基礎科（kē）研、先進材料（liào）研製、高精尖技術、裝備製造等領域。

XPS、AES、TOF-SIMS是重要的表麵分析（xī）技術手段（duàn）。XPS在分析材料的表麵及界麵微觀（guān）電子結構上早已體現出了強（qiáng）大的作用，它可用於材料表麵的元素定性分析、半定量分析、化學狀（zhuàng）態分析、微區分析以及深度剖（pōu）析等。AES主要檢測由表麵激發出來的俄歇電子（zǐ）來獲取表麵信（xìn）息，它不僅能定性和定量地分析物質表界麵的元素組成，而且可以分析某一元素沿著深度方向的含量變化。TOF-SIMS采用一次（cì）離（lí）子轟擊固體材料表麵，產生二次離子，並根（gēn）據二次離子的質荷比探測材料的成分和結構。TOF-SIMS是一種非常靈敏的表麵分析技術，可以確定樣品表麵元素的構成：通過對分子離子峰（fēng）和官能團（tuán）碎片的分析（xī）可以方便的確定表麵化合物和有（yǒu）機樣品的（de）結構，配合樣品表麵的掃（sǎo）描和剝離（lí），可以得到樣品表麵甚至三維的成分圖。相對於XPS、AES等表麵分析方法，TOF-SIMS可以（yǐ）分析包括（kuò）氫在內的所有元素，可以分析包括有（yǒu）機大分子在內（nèi）的化合物，具有更（gèng）高的分辨率。

表麵分析儀器的主（zhǔ）要供應商有Thermo Fisher、Shimadzu、ULVAC-PHI、Joel、VG Sceinta、PreVac、SPECS、Omicron等。目前，全國（guó）的表麵分析（xī）儀器有300同時多台。

半導體行業是表麵分析技術的主要應用領域之一，此次（cì）會議上，半導體相關的報告也占了很大部分。如，中國科（kē）學院半導體研究所的趙麗霞所做（zuò）的題為表麵分析技術在氮化物發光材料器件及失效機理研究中的應用（yòng）的大會報告。以GaN為代表的Ⅲ族氮化物半導（dǎo）體材料在光電領域方麵具有的優勢，近年來得到了飛速發展，發光效率不斷提（tí）高，並在照（zhào）明等領域有了廣發應用。趙麗霞的報告中結合其近的研究進展介紹了氮（dàn）化物發光器（qì）件失效機理的逆向測試分析方法，不同芯片結構、不（bú）同波段、不同功（gōng）率氮化物發光期間在溫度（dù）以及濕度影響下的老化行為（wéi），以及各種表麵分析技術在氮化物發光器件及失效機理研究中的應用（yòng）。還有，昆（kūn）明理工大學蔡金（jīn）明做了題為結構原子級的石墨烯（xī）納（nà）米結構的製備與表征（zhēng）大（dà）會報告。石墨烯自2004年發現以來，引起了科學家們的廣泛關（guān）注（zhù）。如果將其應用到半導體期間中，獲得（dé）具有穩定禁帶寬度的石墨烯材料成為首要的研究問題（tí）。蔡金明采用自下而上的方法，利用具有功能基團的有機分子前驅體脫去功能基團，形成自由基並在（zài）自由基位置結合，隨後脫氫環（huán）化，得到結構原（yuán）子級的石墨烯納米結構。並通過掃描隧（suì）道顯微鏡、角分辨光電（diàn）子能譜、反射差分光譜等對其形（xíng）貌和電化學（xué）性質進行研究（jiū），為將石墨烯應（yīng）用到半導體期間中提供了一條新的、有巨大潛能的方法。

中國科學院半導體研究所的趙麗霞

昆明理工大（dà）學蔡金明（míng）

其他表麵分析技術表征半導體材料（liào）或器件的相關報告還（hái）有：勝科納米有限公司華佑南的X-射（shè）線光電子能（néng）譜和（hé）飛行時間二次離子質譜在鋁焊墊上鋁氟化物分析和表征中的（de）應用、中山大學謝方豔的光（guāng）電子能譜在有機太（tài）陽電池研究中的（de）應用（yòng）等。

令人高興地是，本次（cì）會議上也出現了一些新的領域研究報告，如昆（kūn）明理（lǐ）工大學（xué）李紹（shào）元、鄧久（jiǔ）帥的納米矽（guī）基功能材料（liào）製備及其在（zài）重金屬檢測中（zhōng）的應用研究、鋅（xīn）礦物浮選表麵活化機製的XPS研究報告。李紹元嚐試了將納米材料應用（yòng）於重金屬離子的檢測中，過程中利用XPS對納米材料進行（háng）了表征。鄧久帥利用XPS分析了酸性和堿性條件下閃鋅礦表麵銅活化及菱鋅（xīn）礦表麵強化硫化的機（jī）理。

昆明理工大學李紹元

昆明理工大學鄧（dèng）久帥

除了主要（yào）的表麵分（fèn）析技術手段XPS、AES、TOF-SIMS外，此（cǐ）次會議中也出現了一些其他分析（xī）技術，如掃描探針顯微鏡（jìng）、輝（huī）光放電光譜、橢偏光譜等（děng）。如前麵提到的昆明理工大學蔡金明做（zuò）了（le）題為結構原子級的石墨烯納米結構的製備與表（biǎo）征大會報告，其在在技術（shù）指標的尺寸方麵研究中利用了掃描隧道顯微鏡等技術。中（zhōng）國科學技術大學張增明在報告VO2薄（báo）膜（mó）的變溫光學常數及能帶研究中，主要應用橢偏（piān）光譜儀獲得VO2薄膜的光學常熟與溫（wēn）度、厚度、襯底的關係。橢偏（piān）光（guāng）譜儀在表麵分析的應用也較為廣泛，如（rú）石墨烯厚度層數的測定，太陽能電池，薄膜生長過程中實時原位監測等。堀場貿易有限公（gōng）司武豔紅所做的報告輝光放電光（guāng）譜儀在表麵分析中（zhōng）的應用引起了與會專家的興趣，輝光放電光譜所具有（yǒu）的（de）分析速度快、操作簡單、無需超高（gāo）真空部件、維護成本低等特點，使其在深度剖析材料的（de）表（biǎo）麵和深度時具有不可替代的優勢。輝光放電光譜技術除了可應用於傳統的鋼鐵行業外，還應有於半導（dǎo）體、太陽能（néng）光伏、鋰（lǐ）電池（chí）、光（guāng）學薄（báo）膜及陶瓷等的鍍層分析（xī）。

中國科學技術大學張增明

堀場貿易（yì）有（yǒu）限公司武豔紅

表麵分析領域知名（míng）專家學者，如北京（jīng）師範大學吳正龍（lóng）、清華大學李展平、台灣中央研（yán）究院薛景中、汕頭大學王江湧、清華大學（xué）姚文（wén）清等也分別做精彩報（bào）告，介紹了表麵分析技術及其在在各領域的應用。

表麵分（fèn）析儀器的主要（yào）供應商賽黙飛、島津、ULVAC-PHI、堀場等也參加（jiā）了此次會議，分別在會議（yì）中就本公司的新產品（pǐn）和技術作報（bào）告。高德英特（tè）科技有限公司（sī）葉上遠做The study of how primary beam affect the analysis result in surface analysis、島津龔沿（yán）東做高能（néng）X射（shè）線源在XPS分析中的應用、ULVAC-PHI 的Takuya Miyayama做Introducing the newest MS/MS capability in the Time-of-Fight SIMS&rdquo即表示零件的磨損（sǔn）率;、賽默飛葛青親做幾種擬合方法在碳材料分析中的應用的報告。

高德英特葉上遠

島津龔沿東

ULVAC-PHI 的Takuya Miyayama

賽默飛葛青親

與會人（rén）員合影